Einführung und Anwendung von CAS-Nr.22398-80-7| INDIUM PHOSPHID

Synonyme: InP;INDIUM(III)PHOSPHID;

Phosphin etriylindium(III);

Indium phosphid/99,999%;

Chemical book Indium phosphid (99,999%-In)PURATREM;

Indium phosphide wafer;

Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack

Spezifikation:

Chemische Eigenschaften:

Indium phosphid hat dunkelgraue Kristalle mit einem pitchigen Glanz. Schmelzpunkt 1070 ° C. Der Dissoziation druck unter dem Schmelzpunkt beträgt 2,75 MPa. Sehr leicht löslich in anorganischen Säuren. Diele ktrizitäts konstante: 10,8. Elektronen mobilität: ca. 4600cm 2/V?s. Loch mobilität: ca. 150cm 2/V?s. Hat Halbleiter eigenschaften.

Verwendung: Wird als Halbleiter material verwendet und in der Glasfaser kommunikation stech no logie verwendet, für die Lichtquellen und Empfänger im Bereich von 1,1 bis 1,6 μm erforderlich sind. Wachsende In-GaAsP-Doppel hetero übergangs laser auf InP-Substraten können sowohl die Anforderungen an die Gitter anpassung als auch an den Wellenlängen bereich erfüllen.

Produktions methode:

Das wichtigste Verfahren besteht darin, Indiumphosphid-Einkristall unter Verwendung eines Hochdruck-Einkristall ofens herzustellen, und die Versetzung dichte des Kristalls wird durch Dotierung elektronischer Verunreinigungen verringert. Bei der Dampf phasen epitaxie wird haupt sächlich die Disproportion ierungs methode des In-PCl3-H2 systems verwendet. Bei diesem Verfahren wird die Reaktion zwischen Indium (99,9999%) und Phosphor tri chlorid (99,999%) verwendet, um die Indium phosphid schicht zu züchten. Bei der Dampf phasen epitaxie wird das Quarz reaktions rohr in einen Elektro ofen mit einer Doppel temperatur zone gebracht und gereinigter hochreiner Wasserstoff dosiert. Der Wasserstoff wird auch zur Verdünnung von Phosphor tri chlorid verwendet. Zu diesem Zeitpunkt wird der Bubbler bei 0 ° C gehalten und der Wasserstoff im Reaktions rohr wird durch geleitet. Die lineare Geschwindigkeit beträgt 14 cm/min. Das epit axiale Wachstum ist in mehrere Stufen unterteilt. In der ersten Stufe wird ein Quarz boot, das Indium enthält, im mittleren Quell bereich des Elektro ofens platziert, Wasserstoff gas wird eingeführt und auf 700-850 ° C erhitzt, und Phosphor tri chlorid wird mit Wasserstoff gas eingeführt und zu Phosphor dampf reduziert und Phosphor dampf über der Indium quelle. Chlor wasserstoff. Wasserstoff Cadmium reagiert mit Indium unter Bildung von Indium chlorid dampf, der in der Röhre wandert. Phosphor wird in Indium gelöst, bis es gesättigt ist. In der zweiten Stufe bleibt die Indium quelle ohne Erhitzen in ihrer ursprünglichen Position, und das Einkristall substrat wird in der zweiten Heizzone des Elektro ofens platziert und in einer Wasserstoff atmosphäre auf 600 bis 750 ° C erhitzt. Zuerst wird Wasserstoff gas verwendet, um Phosphor tri chlorid in das Rohr einzuführen, um Dampf phasen korrosion auf dem Substrat durch zuführen und die Substrat oberfläche zu reinigen. Wasserstoff wird dann direkt in das Reaktions rohr eingeführt und die Quelle wird auf ihre Übersättigung temperatur erhitzt (die 100 ° C höher ist als die Temperatur des Substrat kristalls während des Betriebs). Phosphor tri chlorid wird dann durch Sprudeln von Wasserstoff eingeführt. Zu diesem Zeitpunkt reagiert der Phosphor dampf mit dem im Quell bereich erzeugten Indium chlorid, und eine Indium phosphid schicht wird abgelagert und auf dem Substrat gezüchtet. Wenn das epi taktische Wachstum abgeschlossen ist, wird reiner Wasserstoff in das System eingeführt, die beiden Temperatur zonen werden auf Raum temperatur abgekühlt und das Produkt wird heraus genommen, um das fertige Indium phosphid produkt zu erhalten.

Paket und Transport:

Paket: 10G, 25g,50g,100g,250G

Transport: per Kurier/auf dem Luftweg/auf dem Seeweg